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ABC DOMINGO 28- -1- -2007 87 CIENCIAyFUTURO www. abc. es cienciayfuturo La nueva generación de chips de Intel revoluciona la electrónica La espectacular miniaturización de los transistores tendrá una aplicación inmediata en ordenadores, teléfonos móviles y baterías PEDRO RODRÍGUEZ CORRESPONSAL WASHIGTON. Intel- -el mayor fabricante mundial de microprocesadores, esas piezas cuya mejora resulta clave para la revolución digital- -ha anunciado una nueva generación de chips sensiblemente más pequeños, más veloces y más eficientes. Ambiciones electrónicas logradas gracias a una nueva receta que produce microscópicos y potentes transistores de 45 nanometros (45 mil millonésimas partes de un metro) sin los problemas experimentados hasta ahora en esta futurista frontera tecnológica. Tamaños comparados Un nanometro (nm) es la mil millonésima parte del metro. Una uña equivale a 20 millones de nanometros. El cabello humano tiene un grosor de 90.000 nm. Una bacteria tiene el tamaño equivalente a 2.000 nm. El nuevo chip de Intel mide 45 nanometros. Un rinovirus equivale a 20 nm. El átomo de silicio tiene un diámetro de 0,24 nm. Sólo un microscopio avanzado permite ver el nuevo chip. Cientos de estos chips caben en la superficie de un glóbulo rojo. Treinta y cinco mil chips podrían alojarse en la cabeza de un alfiler. Ley de Moore Gordon Moore, el legendario cofundador de Intel, no ha dudado en calificar este avance como el mayor cambio en tecnología de transistores desde los años sesenta Una revolución que permite asegurar a corto y medio plazo el cumplimiento de la famosa predicción formulada por el propio Moore hace más de cuatro décadas, anticipando la duplicación del número de transistores en un chip cada dos años. Pese a los limitados detalles ofrecidos, Intel ha indicado que su tecnología se basa en sustituir el tradicional silicio por nuevos materiales. Uno de ellos ha sido identificado como hafnio, un metal plateado que se ha venido utilizando como elemento de seguridad en los reactores de centrales nucleares por su capacidad de absorción de neutrones. Los primeros transistores, desarrollados a partir de la Segunda Guerra Mundial, ocupaban la palma de una mano con una función similar a la de un interruptor, básica a la hora de procesar el lenguaje binario con que se manejan los ordenadores. Pero en el posterior y vertiginoso proceso de miniaturización, recientemente se Gordon Moore habla del mayor cambio en tecnología de transistores desde los años sesenta Un técnico de Intel muestra una placa base construida con prototipos de los nuevos chips han presentado topes a la efectividad como semiconductores de los derivados del silicio. La capa de aislante de silicio en los más pequeños transistores actuales se ha reducido tanto- -con un grosor de tan solo cinco átomos- -que se ha multiplicado el riesgo de pérdidas de energía eléctrica, lo que causa todo tipo de complicaciones y limitaciones. Para solventar este obstáculo, Intel piensa utilizar en su receta de fabricación el hafnio, mucho más denso. Junto a esta sustitución, la compañía ha confirmado que utilizará otro metal como elemento aislante, pero sin llegar a desvelar su identidad. Los nuevos microprocesadores, denominados Penryn pero que serán rebautizados para su comercialización, van a em- ABC IBM y el resto de la competencia mueven pieza IBM- -en colaboración con las empresas Sony, Toshiba y Advanced Micro Devices- -se ha apresurado a anunciar la introducción de cambios sustanciales en su proceso de fabricación de microprocesadores, aunque su alternativa, también basada en el hafnio, no estará en el mercado hasta principios de 2008. Para explicar este retraso con respecto a Intel, Bernie Meyerson, el principal tecnólogo de IBM, ha respondido en tono desafiante: Nosotros no construimos Vespas. Nosotros construimos Ferraris Insistiendo en que merecerá la pena esperar un poco más para su agresiva alternativa. Para 2008, Texas Instruments también espera introducir cambios similares en sus microprocesadores. Todo este nivel de extrema competencia promete abaratar y acelerar el salto de la barrera de los 45 nanometros. pezar a ser producidos en tres fábricas diferentes durante la segunda mitad este año. Según han indicado los técnicos de Intel, su nuevo producto permite duplicar el número de transistores en una misma superficie. Con posibilidades de ajustar estos transistores para que operen más rápido o con mucha mayor eficiencia eléctrica. Elemento especialmente atractivo para expandir la posibilidad de ver señales de vídeo en teléfonos móviles o para prolongar la limitada capacidad de las baterías en toda clase de ingenios electrónicos. Más información sobre el chip: http: www. intel. com pressroom ki ts 45 nm index. htm